特許
J-GLOBAL ID：201103099878394186
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172472
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007196
特許番号：特許第3523531号
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に部分的にSOI(Semiconductor On Insulator)構造部を有する部分SOI基板を用いた半導体装置の製造方法に於いて、上記半導体基板及び上記SOI構造部の素子分離領域形成部以外の領域上に選択的に形成された第1の耐酸化性膜を用いて、上記SOI構造部の半導体層が埋め込み絶縁層まで酸化される条件で、上記半導体基板及びSOI構造部の素子分離領域形成部に酸化膜を形成する工程と、該工程後、上記部分SOI基板上に第2の耐酸化性膜を堆積し、上記半導体基板部が露出するようにパターニングされたレジストを用いて、上記半導体基板の素子分離領域形成部に形成された酸化膜上の上記第2の耐酸化性膜をエッチング除去する工程と、該工程後、上記レジストを残存させた状態で、該レジストをマスクとしてウエル形成用のイオン注入を行う工程と、上記レジストを除去した後、熱処理を行うことにより、上記イオン注入により上記半導体基板に導入された不純物の活性化を行うと共に、上記半導体基板の素子分離領域形成部の上記酸化膜の膜厚を所定膜厚まで増大させる工程と、を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/762
, H01L 21/761
, H01L 27/12
H01L 27/12 F
, H01L 21/76 D
, H01L 21/76 J
