特許

J-GLOBAL ID：201103099891011237

半導体記憶装置

発明者： 山中 俊輝
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-041185
公開番号（公開出願番号）：特開2002-245782
特許番号：特許第4031206号
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のメモリセルを有するメモリアレイと、このメモリセルから相補信号の入出力を行うビットライン対と、このビットライン対からの信号を増幅するセンスアンプと、前記ビットライン対をプリチャージするプリチャージ回路と、前記メモリセルからの読み出しを模擬するダミーメモリ回路と、を有する半導体記憶装置において、 前記ダミーメモリ回路は、前記メモリセルの選択時に同期して選択されあらかじめ固定されたデータを持つダミーメモリセルと、このダミーメモリセルに接続されたダミービットライン対と、ダミービットライン対からのデータを検出して増幅するダミーセンスアンプと、前記ダミービットライン対をプリチャージするダミープリチャージ回路とを有し、ダミーセンスアンプで読み出しを行う直前には、ダミービットライン間に、ダミーメモリセルがあらかじめ与えられたデータと逆のデータに対応した一定の電位差を生じさせることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/41 ( 200 6.01) ,  G11C 11/413 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G11C 11/34 M ,  G11C 11/34 341 A ,  G11C 17/00 624 ,  G11C 17/00 634 Z