資源
J-GLOBAL ID:201110015872641007   研究資源コード:1000002048 更新日:2004年12月17日

半導体薄膜作成評価装置

Equippment for preparation and evaluation of semiconduct and metal films
保有機関:
担当者: 川畑 敬志
資源分類: 実験機器、施設等
研究分野 (1件): 電子・電気材料工学
概要:
半導体薄膜作成評価(RF-DC結合形スパッタ装置、
X線光電子分光器)
主要目的:半導体、金属薄膜および、その化合物の作成と
薄膜の組成および化学結合状態分析のための装置
(1)薄膜作成装置
作成膜:W,Ta,Mo,Ni,Co,TiN,WN×,N.S., CoSi,
SnNx, T.N, CuNi, Mg
(2)X線光電子分光装置
評価膜:W,Ta,Mo,Ni,Co,TiN,WN×, NiSi, CoSi,
SnO2, ITO, SnNx, TiNi, CuNi
利用環境と条件:
研究業務の遂行に支障のないこと
利用手続きと方法:
利用手続の詳細は、担当者まで問い合わせること

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