資源
J-GLOBAL ID:201110022947160570   研究資源コード:1000001976 更新日:2005年02月10日

複合粒子線半導体材料表面改質装置

Ion beam irradiation apparatus Improvement of semiconductor surfaces by means of multi-ionized molecular beam technology for fabrication of ULSI
保有機関:
担当者: 横田 勝弘
資源分類: 実験機器、施設等
概要:
2種類の金属蒸発源から蒸発させた分子と、ガス分子を
カフマンイオン源あるいはECRイオン源でイオン化して半導体表面に
輸送してULSI製造にhigh k. Low K. Lowresistivity薄膜を堆積させ
る。
利用手続きと方法:
詳細は、別途担当者まで問い合わせること

前のページに戻る