資源
J-GLOBAL ID:201110096627815342   研究資源コード:1000000742 更新日:2004年12月02日

ステッププロファイラー、リアクティブイオンエッチング装置、微分干渉顕微鏡、2次イオン質量分析装置

保有機関:
担当者: 江川 孝志
資源分類: 実験機器、施設等
研究分野 (2件): 機械材料・材料力学 ,  電子・電気材料工学
概要:
・ステッププロファイラー:物質表面の微細な荒さを測定する。
・リアクティブイオンエッチング装置:半導体表面を反応性イオンにより微細加工する。
塩素、三塩化ホウ素を使用
・微分干渉顕微鏡:表面の微細構造を観察する。ノマルスキ式。倍率:×1000まで可能
・2次イオン質量分析装置:カメカ社製 ims-4f
利用環境と条件:
・研究遂行に支障のないこと。
・装置およびその操作を熱知していること。
利用手続きと方法:
・利用手続き → 詳細は担当者まで問い合わせること。
・利用料金 → 詳細は担当者まで問い合わせること。
・利用者の資格→ 本学教官、本学との共同研究者。
・利用時間 → 平日10時00分から17時00分までのみ。

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