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J-GLOBAL ID：201202140899646847   整理番号：12A1386884

AlGaN/GaNシングルおよびダブル・ヘテロ構造FETにおける2次元電子移動度の電子濃度依存性

著者 (5件)： 前田就彦 (NTT 物性科学基礎研) ,  斉藤正 (NTT 物性科学基礎研) ,  椿光太郎 (NTT 物性科学基礎研) ,  西田敏夫 (NTT 物性科学基礎研) ,  小林直樹 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 47th  号： 1  ページ： 384  発行年： 2000年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  FET ,  2次元 ,  電子移動度 ,  電子 ,  濃度依存性