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J-GLOBAL ID：201202177208608996   整理番号：12A1395535

高濃度Si含有AlGaN超格子を用いた低転位バッファーの作製

著者 (7件)： 相野谷真 (理研) ,  相野谷真 (早稲田大 理工) ,  平山秀樹 (理研) ,  木下敦寛 (理研) ,  木下敦寛 (早稲田大 理工) ,  平田彰 (早稲田大 理工) ,  青柳克信 (理研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 61st  号： 1  ページ： 303  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高濃度 ,  Si ,  AlGaN ,  超格子 ,  転位 ,  バッファー ,  作製