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J-GLOBAL ID：201202190034980790   整理番号：12A1345629

スパッタPZTを用いた0.5ミクロン強誘電体メモリーの開発(2)-Pb濃度のIrO₂/PZT/Ptフェロキャパシタ特性への影響-

著者 (10件)： 高井一章 (富士通) ,  高松知広 (富士通) ,  松浦克彦 (富士通) ,  柴田真理 (富士通) ,  小澤聡一郎 (富士通) ,  能代英之 (富士通) ,  堀井義正 (富士通) ,  三原智 (富士通) ,  中村守孝 (富士通) ,  山崎辰也 (富士通)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 61st  号： 2  ページ： 427  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ ,  PZT ,  強誘電体メモリー ,  開発 ,  Pb ,  Pt