文献

J-GLOBAL ID：201202200051280012   整理番号：12A0955528

a面AlGaN/GaN多重量子井戸に関する量子井戸厚の増大に伴う紫外発光効率増大

Ultraviolet emission efficiency enhancement of a-plane AlGaN/GaN multiple-quantum-wells with increasing quantum well thickness

著者 (6件)： HUANG Huei-min (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHANG Chiao-yun (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LAN Yu-pin (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LU Tien-chang (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  KUO Hao-chung (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  WANG Shing-chung (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 26  ページ： 261901-261901-4  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる井戸厚さを有する非極性a面(Al,Ga)N/GaN多重量子井戸(MQW)構造において,欠陥誘起キャリア局在を調べた。温度依存光ルミネセンスピークの顕著な変化を観測し,局在状態の存在に起因すると推論した。これら欠陥誘起状態でのキャリア局在の程度は,井戸幅の大きいMQWの場合に一層顕著であった。さらに,紫外発光効率は,井戸幅の1.6→7.3nmの増大に伴って,3倍に増大した。この増大は,基底面の積層欠陥と量子井戸との交差で形成される量子ワイヤ様特長から発生する顕著なキャリア局在に起因することを記した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  基板 ,  サファイア ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *光ルミネセンス ,  紫外発光スペクトル ,  キャリア ,  温度依存性 ,  サイズ効果 ,  エネルギー変換効率 ,  積層欠陥
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,  電荷キャリア ,  発光効率

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  量子井戸 ,  厚 ,  発光効率