窒化金Schottkyナノダイオードの熱電子電界放出

SPYROPOULOS-ANTONAKAKIS N.; SARANTOPOULOU E.; KOLLIA Z.; SAMARDZIJA Z.; KOBE S.; CEFALAS A. C.

文献

J-GLOBAL ID：201202200325849602 整理番号：12A1763764

窒化金Schottkyナノダイオードの熱電子電界放出

Thermionic field emission in gold nitride Schottky nanodiodes

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資料名：
巻： 112 号： 9 ページ： 094301-094301-14 発行年： 2012年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

157nmの分子フッ素レーザでのパルスレーザ堆積により成長させた窒化金ナノドメインの熱電子電界放出及び電荷輸送特性について報告する。このナノドメインは導電性原子間力顕微鏡の金属チップと薄い金属間にサンドイッチされて金属-半導体-金属接合を形成している。文献にある限られたデータでは,先に窒化金は低効率,不安定,かつ金属性で合成されたことが分かった;この報告で,窒化金ナノメインは半導性挙動を示して金属-半導体-金属接触が背中合わせにSchottky障壁モデルでモデルできることが分かった。実験のI-V曲線から主要な電荷キャリヤ輸送プロセスは電子トンネリングを通した熱電子電界放出であると分かった。ナノ接触の整流,ほぼ対称及び非対称電流応答は窒化金ナノドメインと金属との実効接触面積に関係している。ナノドメイン境界での主要電荷キャリヤ濃度の低域限界も完全空乏近似により確立され,厚みが6nmと薄いナノドメインは導電性であることが分かった。「極めて小さな」導電性ナノドメイン(6~10nm)で蓄積電荷による電荷整流及び電荷メモリ効果も観測された。実際,表面近傍の電荷は静電力顕微鏡で得られた位相シフトマッピングの反転ドメインと確認されて,ナノドメイン境界での電荷捕獲に関係している。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜 , 半導体-金属接触 , 熱電子放出,電界放出

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