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J-GLOBAL ID：201202200341138805   整理番号：12A1725656

四成分型半導体Cu₂MSnS₄(M=Co²⁺,Fe²⁺,Ni²⁺,Mn²⁺)ナノ結晶の合成の一般的戦略

A general strategy for synthesis of quaternary semiconductor Cu₂MSnS₄ (M=Co²⁺, Fe²⁺, Ni²⁺, Mn²⁺) nanocrystals

著者 (4件)： CUI Yong (Changchun Inst. Applied Chemistry, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  DENG Ruiping (Changchun Inst. Applied Chemistry, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  WANG Gang (Changchun Inst. Applied Chemistry, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN) ,  PAN Daocheng (Changchun Inst. Applied Chemistry, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 43  ページ： 23136-23140  発行年： 2012年11月21日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 塩化物または硝酸塩および3-メルカプトプロピオン酸を原料としてヘキシルアミン溶媒熱合成により四成分型半導体Cu₂MSnS₄(M=Co²⁺,Fe²⁺,Ni²⁺,Mn²⁺)ナノ結晶を成長させた。X線回折,透過型電子顕微鏡,制限視野回折,紫外可視吸収スペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。磁化率の温度依存性を調べた。Cu₂FeSnS₄およびCu₂CoSnS₄は強磁性,Cu₂NiSnS₄は低温で超常磁性を示した。Cu₂MnSnS₄薄膜は電流電圧特性の測定において光伝導性を示した。いずれの化合物もバンドギャップは1.2~1.5eVの範囲にあることから安価な薄膜太陽電池への応用を示唆した。

シソーラス用語： *硫化物 ,  *半導体 ,  多成分系 ,  *銅化合物 ,  *スズ化合物 ,  コバルト化合物 ,  ニッケル化合物 ,  鉄化合物 ,  ナノ結晶 ,  *結晶成長 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  制限視野回折 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  磁化率 ,  温度依存性 ,  強磁性 ,  超常磁性 ,  電流電圧特性 ,  太陽電池 ,  化学合成 ,  脂肪族アミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： 四成分系 ,  溶媒熱合成

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (2件)： 3-メルカプトプロピオン酸 ,  ヘキシルアミン

タイトルに関連する用語 (3件)： Mn2+ ,  ナノ結晶 ,  戦略