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文献
J-GLOBAL ID:201202200362399544   整理番号:12A0521946

水素型及びヘリウム型人工原子の電子構造に関する理論的研究

著者 (2件):
資料名:
号: 47  ページ: 124-131  発行年: 2012年02月29日 
JST資料番号: S0960A  ISSN: 0285-5364  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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半導体のヘテロ構造の一つである球状のコアに電子をドープして出来る人工原子の電子構造について系統的に計算してその特徴や自然原子との違いを調べ,実現可能な人工原子の構造を提案するのが目的である。半径Rcの球形コアに電荷Z(Z=1と2)が一様に分布していると想定して数値計算に依りその構造を求めた。計算はコーン・シャム方程式を一般化された固有方程式変え,対角化して軌道エネルギーを求めた。まず水素原子とヘリウムでその妥当性を確認し,次にGaAsマトリックス中のRc=10nm程度の球状Ga0.35As0.65のコア構造を想定して計算し評価した。今回はドナー原子の束縛が出来ず人工原子が出現しない結果となった。今後更に調べる。
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分類 (1件):
分類
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半導体結晶の電子構造 

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