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J-GLOBAL ID：201202200395780103   整理番号：12A1730756

有効円形半径をもつ楕円型全周ゲートSONOSナノワイアの特性評価

Characteristics of Elliptical Gate-All-Around SONOS Nanowire With Effective Circular Radius

著者 (4件)： LEE Myoung-Sun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Il Hwan (Myongji Univ., Yongin, KOR) ,  LEE Jong-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 11  ページ： 1613-1615  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 楕円断面をもつシリンドリカル全周ゲート(GAA)SONOSナノワイアが,注目されてきいる。電荷トラップフラッシュメモリーの性能強化の候補として期待されている。この性能劣化のメカニズムを,三次元CADにより解析した。p型ボデーは,1×10¹⁵cm^-3の濃度で,n⁺ポリシリコンゲートを使用した。楕円型GAA SONOS素子の 電流の流れとプログラム特性は三次元CADシミュレーションにより明らかにした。

シソーラス用語： *素子構造 ,  CAD【計算機】 ,  シミュレーション ,  *ナノワイヤ ,  フラッシュメモリ ,  キャリア捕獲 ,  *キャラクタリゼーション ,  ポリシリコン ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： *SONOS ,  三次元CAD ,  電荷トラップ ,  特性評価

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 円形 ,  半径 ,  楕円型 ,  ゲート ,  SONOS ,  ナノワイア ,  特性評価