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J-GLOBAL ID：201202200417533610   整理番号：12A0955592

ZnO量子細線におけるキャリア局在

Carrier localization in ZnO quantum wires

著者 (4件)： KROEGER Philipp (Physics Dep. and CeOPP-Center for Optoelectronics and Photonics Paderborn, Univ. of Paderborn, Warburger Str. 100 ...) ,  RUTH Marcel (Physics Dep. and CeOPP-Center for Optoelectronics and Photonics Paderborn, Univ. of Paderborn, Warburger Str. 100 ...) ,  WEBER Nils (Physics Dep. and CeOPP-Center for Optoelectronics and Photonics Paderborn, Univ. of Paderborn, Warburger Str. 100 ...) ,  MEIER Cedrik (Physics Dep. and CeOPP-Center for Optoelectronics and Photonics Paderborn, Univ. of Paderborn, Warburger Str. 100 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 26  ページ： 263114-263114-4  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子ビームエピタクシーを使ってパターン化したシリコン基板上へZnO量子細線を成長させた。結晶学的エッチ過程により,Si(001)基板からSi(111)面を露出すると,V溝が形成された。Si(111)とZnO(0001)の格子定数間に大きい不整合があるため,成長後のZnO膜の品質は低くなった。続いて熱処理を行うと,膜の電子及び構造品質が著しく改善された。細線の中心領域では,強い光ルミネセンス強度増大が見られた。これはZnO量子細線におけるキャリア局在から生じる。電子構造の2次元自己無撞着計算を行って,実験結果との良好な一致を得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  量子細線 ,  MBE成長 ,  パターン形成 ,  ケイ素 ,  エッチング ,  溝 ,  格子不整合 ,  半導体薄膜 ,  熱処理 ,  *光ルミネセンス ,  局在状態 ,  空間分解分光法
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  プラズマ支援MBE成長 ,  V溝 ,  *キャリア局在

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnO ,  量子細線 ,  キャリア