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J-GLOBAL ID：201202200472101109   整理番号：12A0771302

触媒を使用しないHVPEによる例外的な結晶と定義された房状および超房状GaNナノロッドの成長

Exceptional Crystal-Defined Bunched and Hyperbunched GaN Nanorods Grown by Catalyst-Free HVPE

著者 (13件)： LEKHAL K. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  LEKHAL K. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  ANDRE Y. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  ANDRE Y. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  TRASSOUDAINE A. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  TRASSOUDAINE A. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  GIL E. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  GIL E. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  AVIT G. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  AVIT G. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA) ,  CELLIER J. (Clermont Univ., Univ. Blaise Pascal, AUBIERE, FRA) ,  CASTELLUCI D. (Univ. Blaise Pascal, Clermont-Ferrand, FRA) ,  CASTELLUCI D. (LASMEA, CNRS, Aubiere, FRA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 12  号： 5  ページ： 2251-2256  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 触媒を使用しない水素化物蒸気相エピタキシー(HVPE)によって,異なる温度とアンモニアガスフロー状態でシリコン(111)やc面サアファイア基板上にGaN結晶を成長させた。走査型電子顕微鏡(SEM)とX線回折(XRD)によって解析した結果,740°Cの100sccmアンモニアガスフロー状態で6角形の断面積をもつGaNのナノロッド(NRs)が完全結晶化し,房状および超房状NRs構造になることがわかった。ウルツ鉱状に配列しているこのGaN NRsは高いアスペクト比を示した。この結晶の成長機構における核生成は個々の6角形のGaN NRが配向する大きなパネル展開に対応している。また,核の結晶対称性はNRの最終構造に強い影響を与えている。6角錐構造の核は房状および超房状のGaN NRsになる。4面体の閃亜鉛鉱相核は三脚状のGaN結晶に成長した。

シソーラス用語： 塩化ガリウム ,  アンモニア ,  気相反応 ,  ケイ素 ,  サファイア ,  基板 ,  ファセット ,  *窒化ガリウム ,  *ナノロッド ,  *気相成長 ,  エピタクシー ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  放射状 ,  枝分れ ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  アスペクト比 ,  核形成 ,  *閃亜鉛鉱型結晶
準シソーラス用語： 六角柱

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 触媒 ,  HVPE ,  結晶 ,  定義 ,  GaN ,  ナノロッド ,  成長