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J-GLOBAL ID：201202200500159100   整理番号：12A0895366

短周期InAs/GaSb超格子中の原子相互混合

Atomic intermixing in short-period InAs/GaSb superlattices

著者 (6件)： ASHUACH Y. (Dep. of Materials Engineering, Technion - Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  KAUFFMANN Y. (Dep. of Materials Engineering, Technion - Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  ISHEIM D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Northwestern Univ. Center for Atom-Probe Tomography, Northwestern Univ. ...) ,  AMOUYAL Y. (Dep. of Materials Engineering, Technion - Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  SEIDMAN D. N. (Dep. of Materials Sci. and Engineering and Northwestern Univ. Center for Atom-Probe Tomography, Northwestern Univ. ...) ,  ZOLOTOYABKO E. (Dep. of Materials Engineering, Technion - Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 24  ページ： 241604-241604-4  発行年： 2012年06月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広角度環状暗視野透過型走査電子顕微鏡(HAADF-STEM)とレーザ支援局所電極原子プローブ(LEAP)トモグラフィーを用いて,短周期InAs/GaSb超格子を特性化し,≦nmの分解能で原子濃度プロファイルの取得を強調した。HAADF-STEMは個別部分層中の原子柱の直接可視化と計数を可能にする。HAADF-STEMの空間分解能はアニオン-カチオン亜鈴の分解,及びこれに基づく超格子全体の原子分布の調査に十分である。両方法はGaSb上InAs界面がInAs上GaSb界面よりも広いことを立証した。LEAPトモグラフィー測定から導いた界面幅はHAADF-STEM顕微鏡写真から得たものよりも僅かに広く,最大全幅は≦4.5単分子層であった。LEAPトモグラフィー解析は,成長時のAs/Sb置換の帰結として,InAs部分層の中間における約7at.%のSb原子の存在を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  アンチモン化ガリウム ,  *超格子 ,  *半導体材料 ,  トモグラフィー ,  分布 ,  *混合 ,  半導体薄膜 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 原子プローブトモグラフィー ,  *原子混合 ,  原子分布

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短周期 ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  原子 ,  相互混合