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J-GLOBAL ID：201202200532716094   整理番号：12A1642586

溶液処理のN-チャンネル高分子電界効果トランジスタの特性評価に及ぼすゲート誘電性とそれらの溶媒の効果

Effects of gate dielectrics and their solvents on characteristics of solution-processed N-channel polymer field-effect transistors

著者 (3件)： BAEG Kang-Jun (Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR) ,  FACCHETTI Antonio (Northwestern Univ., IL, USA) ,  NOH Yong-Young (Hanbat National Univ., Daejeon, KOR)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 39  ページ： 21138-21143  発行年： 2012年10月21日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,n-チャンネルトップゲート構造化有機電界効果トランジスタ(OFET)の特性に及ぼす高分子ゲート誘電体の効果とそれらの溶媒効果を研究した。OFETには,ポリ{[N,N-9-ビス(2-オクチルドデシル)-ナフタレン-1,4,5,8-ビス(カルボキシイミド)-2,6-ジイル]-alt-5,59-(2,29)-ビチオフェン)}(P(NDI2OD-T2))を用いた。P(NDI2OD-T2)ベースのOEFTは用いた高分子ゲートの誘電体の化学的脂質に顕著に依存し,半導体-誘電体界面の形態は誘電体層沈着に用いた誘電性溶媒に依存する。スピン被覆及びインクジェット印刷P(NDI2OD-T2)ベースのFETは,溶媒の選択により共鳴的に高い値の電界効果移動度(μ_FET=0.1-0.3cm²/V・s)を示す。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  酸化膜 ,  溶媒効果 ,  *キャリア移動度 ,  *共重合体 ,  液相反応 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  電界効果移動度 ,  有機電界効果トランジスタ ,  溶液反応

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  非水溶液  (CB05040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 溶液処理 ,  チャンネル ,  高分子 ,  電界効果トランジスタ ,  特性評価 ,  ゲート ,  誘電性 ,  溶媒