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J-GLOBAL ID:201202200575215463   整理番号:11A1550952

三重項HB=SiLiFの構造及びR--H(R=F,OH,NH2)との挿入反応

Structures of the Triplet Silylenoid HB=SiLiF and Its Insertion Reactions with R--H(R=F,OH,NH2)
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資料名:
巻: 26  号:ページ: 2543-2548  発行年: 2010年 
JST資料番号: W0391A  ISSN: 1000-6818  CODEN: WHXUEU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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密度汎関数理論(DFT)及び単一及び二重励起(QCISD)法による二次元配置間相互作用を用いて,三重項シリレノイドHB=SiLiFの幾何学及びRH(R=F,OH,NH2)とのその挿入反応を解析した。計算の結果,HB=SiLiFは3つの平衡構造を有し,その内で四員環構造が最低エネルギーを有し,最も安定な構造であることが判明した。HB=SiLiFとHF,H2O及びNH3の挿入反応の機構は同一であった。QCISD/6-311++G(d,p)//B3LYP/6-311+G(d,p)で計算した3つの反応のポテンシャルエネルギー障壁はそれぞれ124.85,140.67,及び148.16kJmol-1で,3つの反応に対する反応熱はそれぞれ-2.22,20.08及び23.22kJmol-1であった。同じ条件で,挿入反応は以下の順序で容易に生じるはずであった:H--F>H--OH>H--NH2。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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