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J-GLOBAL ID：201202200578787921   整理番号：12A0265896

非晶質InSe薄膜の熱酸化によって調製したIn₂O₃膜

In₂O₃ films prepared by thermal oxidation of amorphous InSe thin films

著者 (6件)： SICILIANO T. ,  DI GIULIO M. ,  TEPORE M. ,  GENGA A. ,  MICOCCI G. ,  TEPORE A.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 7  ページ： 2455-2460  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空気雰囲気中で非晶質InSe膜を熱酸化して,In₂O₃薄膜を調製した。熱処理した生成物の構造,形態,及び組成は,各々,X線回折(XRD),走査電子顕微鏡,及びエネルギー分散分光法により特性を評価した。XRDパターンは,蒸着したままのInSe膜は非晶質であり,600°C付近の温度で立方晶構造,(222)優先方位の多結晶In₂O₃膜へ完全に変態することを示す。UV-vis-NIR分光法を使った透過率と反射率の測定結果から,室温で光学エネルギーギャップを3.66eVと決定した。予備的な特性評価は,これら膜は,180°C付近の作動温度でNO₂ガスに対して有望な応答を持つことを示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  セレン化物 ,  非晶質半導体 ,  *熱酸化 ,  *酸化インジウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  結晶構造 ,  優先配向 ,  結晶化 ,  透過率 ,  反射率 ,  *光学ギャップ ,  *ガスセンサ ,  吸着 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： セレン化インジウム ,  酸化物半導体 ,  光透過率 ,  光反射率 ,  光学バンドギャップ

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  InSe ,  薄膜 ,  熱酸化 ,  調製