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J-GLOBAL ID：201202200651527470   整理番号：12A0834164

高周波応用に対するSmドープFeCo薄膜に関する軟磁気特性と磁化反転機構

Soft magnetic property and magnetization reversal mechanism of Sm doped FeCo thin film for high-frequency application

著者 (8件)： XI L. ,  DU J.h. ,  ZHOU J.j. ,  MA J.h. ,  LI X.y. ,  WANG Z. ,  ZUO Y.l. ,  XUE D.s.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 16  ページ： 5421-5425  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さが110nm程度の一連の(Fe_0.67Co_0.33)_1-xSm_x(0≦x<0.25)薄膜を,堆積の過程において,薄膜面内に2.4kA/mの磁場を印加した環境条件下において,マグネトロン同時スパッタリング法によって,シリコン(111)基板上に堆積した。Sm濃度の増大に伴って,FeCoの結晶粒度は徐々に減少し,FeCoSm薄膜は最終的には非晶質になることが分かった。一方,Smをドーピングする限りは,等方的な磁性が,面内の一軸性異方性を持つ磁性に変化することが分かった。保磁力およびスイッチング磁場の角度依存性に関する研究から,FeCoSm薄膜の磁化反転機構は,印加磁場が磁化容易軸に近い場合には磁壁の脱ピン止,また,困難軸に近い場合にはコヒーレント回転であることが分かった。Smの組成量を制御することによって,FeCoSm薄膜の異方性磁場と共鳴振動数は,それぞれ15.0~109.5kA/mおよび5.2~11.8GHzの範囲で調整可能であることが分かった。これらの結果から,FeCoSm薄膜は高周波素子への応用に潜在的可能性を有することを指摘した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 磁性 ,  *軟磁性材料 ,  *磁性薄膜 ,  *鉄合金 ,  コバルト含有合金 ,  サマリウム含有合金 ,  固溶体 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  ケイ素 ,  結晶粒度 ,  濃度依存性 ,  *一軸磁気異方性 ,  磁場 ,  角度依存性 ,  *磁化反転 ,  磁壁 ,  ピン止め ,  高周波測定
準シソーラス用語： スイッチング磁場 ,  軟磁気特性

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高周波 ,  応用 ,  Sm ,  ドープ ,  薄膜 ,  軟磁気特性 ,  磁化反転