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J-GLOBAL ID:201202200687032094   整理番号:12A1668625

ホウ素ドープダイヤモンド膜における電流に誘起されたナノギャップ形成とグラファイト化

Current-induced nanogap formation and graphitization in boron-doped diamond films
著者 (12件):
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巻: 101  号: 19  ページ: 193106-193106-4  発行年: 2012年11月05日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高電流アニーリング法を用いて,ホウ素ドープナノ結晶ダイヤモンド膜にナノギャップ構造とハイブリッドダイヤモンド/グラファイト構造を製造した。フィードバック制御した電流アニーリング手続きを使うと,最小~1nmに達するナノメートルサイズのギャップが生成した。走査電子顕微鏡および電子輸送測定を行って,ナノギャップの特性を評価した。電流アニーリング中のJoule加熱によって実現した高温により起こる構造変化はRaman分光法を使って特性評価した。ハイブリッド化したダイヤモンド/グラファイト構造の形成が最大に熱が蓄積した点で観測された。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の薄膜 
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