超臨界流体からのゲルマニウムの電着

KE Jie; BARTLETT Philip N.; COOK David; EASUN Timothy L.; GEORGE Michael W.; LEVASON William; REID Gillian; SMITH David; SU Wenta; ZHANG Wenjian

文献

J-GLOBAL ID：201202200738017354 整理番号：12A0344090

超臨界流体からのゲルマニウムの電着

Electrodeposition of germanium from supercritical fluids

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巻： 14 号： 4 ページ： 1517-1528 発行年： 2012年01月28日
JST資料番号： A0271C ISSN： 1463-9076 CODEN： PPCPFQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

CH₃CNあるいはCH₂F₂,および超臨界(SC)二酸化炭素(CH₃CNあるいはCH₂F₂を含む)を用いる,Ge(II)およびGe(IV)からのGeの電着を研究した。Ge(II)に対しては,[NBuⁿ₄][GeCl₃]が良好な堆積をもたらした。しかし電着の再現性が乏しく,還元電流は推定される物質輸送限界値よりも著しく小さかった。これは溶液中の水および酸素のためと考えられる。Geの堆積は,液体CH₃CNおよびCH₃CNを含むSC二酸化炭素中の[NBuⁿ₄][GeCl₃]により可能であったが,C/O/F/Clで著しく汚染されていた。一方,良好なGeの堆積は,液体CH₂F₂およびSC CH₂F₂中のGeCl₄の電着により得られた。この場合,金ディスク電極上の還元電流は物質輸送限界と一致し,電着によりGeのアモルファス膜を生成した。またO/F/Cが低レベルであり,酸化ゲルマニウムの存在が確認され,堆積後の空気中での酸化が推測された。Ramanスペクトルからは,レーザー光によりアモルファスGeは結晶化することが示された。Geの固相での成長はナノワイヤ調製に適しており,7nm以下のナノワイヤが報告されている。特にSC流体からの電着はナノワイヤの調製に適しており,3nmのナノワイヤの調製が可能であることを述べた。

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電気化学反応 , 非遷移金属元素の錯体

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