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J-GLOBAL ID：201202200860766694   整理番号：12A0664503

均衡した正孔および電子移動度を有する高性能両極性ジケトピロロピロール-チエノ[3,2-b]チオフェン共重合体電界効果トランジスタ

High-Performance Ambipolar Diketopyrrolopyrrole-Thieno[3,2-b]thiophene Copolymer Field-Effect Transistors with Balanced Hole and Electron Mobilities

著者 (11件)： CHEN Zhuoying (Cambridge Univ., Cambridge, GBR) ,  LEE Mi Jung (Cambridge Univ., Cambridge, GBR) ,  ASHRAF Raja Shahid (Imperial Coll., London, GBR) ,  GU Yun (Univ. Copenhagen, Copenhagen, DNK) ,  ALBERT-SEIFRIED Sebastian (Cambridge Univ., Cambridge, GBR) ,  NIELSEN Martin Meedom (Riso DTU, Roskilde, DNK) ,  SCHROEDER Bob (Univ. Libre de Bruxelles, Bruxelles, BEL) ,  ANTHOPOULOS Thomas D. (Imperial Coll., London, GBR) ,  HEENEY Martin (Imperial Coll., London, GBR) ,  MCCULLOCH Iain (Imperial Coll., London, GBR) ,  SIRRINGHAUS Henning (Cambridge Univ., Cambridge, GBR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 5  ページ： 647-652  発行年： 2012年02月02日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正孔および電子の両方について1cm²V^-1s^-1を超える電界効果移動度を有する高分子半導体を目的としてN,N′-ビス(2-オクチルドデシル)ジケトピロロピロール,チオフェン,チエノ[3,2-b]チオフェンの交互共重合体DPPT-TTを設計および合成した。バンドギャップ,HOMOおよびLUMOエネルギー準位の位置を設計して効率的な両極性電荷注入および移動を可能にし,デバイス構成および薄膜調製を制御してともに1.0cm²V^-1s^-1を超える正孔および電子の電界効果移動度を実現することができた。

シソーラス用語： *高分子半導体 ,  *極性 ,  FET【トランジスタ】 ,  窒素複素環化合物 ,  硫黄複素環化合物 ,  交互共重合体 ,  バンドギャップ ,  *キャリア移動度
準シソーラス用語： *両極性 ,  有機電界効果トランジスタ ,  *電界効果移動度

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 均衡 ,  正孔 ,  電子移動度 ,  高性能 ,  両極性 ,  チオフェン ,  共重合体 ,  電界効果トランジスタ