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J-GLOBAL ID：201202200872023310   整理番号：12A1485767

区分的線形電流曲率補償を用いた-50°C~+150°Cで±0.34% 3σ不正確さを有する1V以下,3.9μWバンドギャップ基準

A Sub-1V 3.9μW Bandgap Reference with a 3σ Inaccuracy of ±0.34% from -50°C to +150°C using Piecewise-Linear-Current Curvature Compensation

著者 (4件)： SANO Shinya (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI Yasuhiko (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  HORIGUCHI Masashi (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN) ,  OTA Moriyoshi (Renesas Electronics Corp., Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2012  ページ： 22-23  発行年： 2012年 
JST資料番号： W0767A  ISSN： 2158-5601  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電力電流モードバンドギャップ基準コアと区分的線形曲率補償システムを用いることによって,広い温度範囲(-50°C~+150°C)と広い電圧範囲(+0.9V~+5.5V)にわたって,±0.34%の小さな電圧変動と1mV以下の低温度ドリフトを有する1V以下,3.9μWバンドギャップ基準を示した。このバンドギャップは0.13μm CMOSで作製されている。

シソーラス用語： *基準信号 ,  曲率 ,  温度依存性 ,  バイポーラトランジスタ ,  *半導体集積回路 ,  電圧 ,  モード ,  *CMOS集積回路 ,  低電圧
準シソーラス用語： バンドギャップ基準 ,  *バンドギャップ基準電圧 ,  電流モード

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 線形 ,  曲率 ,  補償 ,  正確さ ,  バンドギャップ基準