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J-GLOBAL ID：201202201067452138   整理番号：12A1704301

プラズマ増強化学蒸着法で調製したSiN_x薄膜の熱膨張係数と熱機械特性

Thermal expansion coefficient and thermomechanical properties of SiN_x thin films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

著者 (2件)： TIEN Chuen-lin ,  LIN Tsai-wei
資料名： Applied Optics  (Applied Optics)
巻： 51  号： 30  ページ： 7229-7235  発行年： 2012年10月20日 
JST資料番号： B0026B  ISSN： 1559-128X  CODEN： APOPAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜の熱膨張係数と熱機械特性を評価するために高速Fourier変換(FFT)に基づく新しい方法を示した。本研究ではプラズマ増強化学蒸着法でCorningガラスとSiウエハに窒化シリコン薄膜を堆積した。窒化シリコン薄膜の異方性残留応力と熱機械特性を研究した。加熱温度を変えて,FFT法と関連した修正Michelson干渉計で薄膜の残留応力を評価した。温度を室温から100°Cまでの増大した場合,平均残留応力が増大することが分かった。基板温度を増大することでSiウエハに堆積したSiN_x膜の残留応力が圧縮性になるが,Corningガラス上のSiN_x膜の残留応力が張力性になった。加熱の後,残留応力と基板温度の相関は線形となった。二重基板技術を利用し,薄膜の熱膨張係数を決定した。実験結果から,窒化シリコン薄膜の熱膨張係数が3.27×10^-6°C^-1であることを示した。二軸モジュラスはSiN_x膜で1125GPaであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： Michelson干渉計 ,  高速Fourier変換 ,  *窒化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *熱膨張係数 ,  加熱温度 ,  基板温度 ,  残留応力 ,  *プラズマCVD ,  *半導体薄膜 ,  熱機械分析
準シソーラス用語： Siウエハ ,  プラズマ増強化学蒸着

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  非金属のその他の熱的性質  (BL05040J)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ増強化学蒸着 ,  調製 ,  薄膜 ,  熱膨張係数 ,  熱機械特性