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J-GLOBAL ID：201202201180853602   整理番号：12A0839986

ウルツ鉱型III-N半導体の非線形圧電効果の重要度

Importance of non linear piezoelectric effect in Wurtzite III-N semiconductors

著者 (5件)： PAL Joydeep (Univ. of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester, GBR) ,  TSE Geoffrey (Univ. of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester, GBR) ,  HAXHA Vesel (Univ. of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester, GBR) ,  MIGLIORATO Max A. (Univ. of Manchester, School of Electrical and Electronic Engineering, Manchester, GBR) ,  TOMIC Stanko (Univ. of Salford, Joule Physics Lab., School of Computing, Sciences and Engineering, Salford, GBR)
資料名： Optical and Quantum Electronics  (Optical and Quantum Electronics)
巻： 44  号： 3-5  ページ： 195-203  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： A0205A  ISSN： 0306-8919  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウルツ鉱型全二成分III-N半導体の一次と二次の圧電係数を利用して,III-N材料とその合金の量子井戸と量子ドットでの非線形圧電気の影響を評価した。しばしば無視された二次係数は,歪誘導圧電性分極に著しい効果をもたらした。実験値と予測の比較から,量子井戸と超格子での内部圧電場が良好に整合することを明らかにした。エキシトン特性の影響が大きい場合,III-N量子ドットでは,半経験的アプローチの影響が非常に大きい。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *圧電気 ,  非線形性 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  化合物半導体 ,  励起子 ,  *量子ドット ,  量子井戸 ,  超格子 ,  内圧
準シソーラス用語： エキシトン ,  圧電気効果 ,  圧電係数 ,  圧電効果

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (4件)： ウルツ鉱 ,  非線形 ,  圧電効果 ,  重要度