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J-GLOBAL ID：201202201266766575   整理番号：12A1092179

小さいトポグラフィカルテンプレートを用いるブロック共重合体により誘導された自己組織化のフレキシブル制御 集積回路の接続孔パターン形成のためのリソグラフィーの対策案

Flexible Control of Block Copolymer Directed Self-Assembly using Small, Topographical Templates: Potential Lithography Solution for Integrated Circuit Contact Hole Patterning

著者 (12件)： YI He (Stanford Univ., CA, USA) ,  BAO Xin-Yu (Stanford Univ., CA, USA) ,  ZHANG Jie (Stanford Univ., CA, USA) ,  BENCHER Christopher (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  CHANG Li-Wen (Stanford Univ., CA, USA) ,  CHEN Xiangyu (Stanford Univ., CA, USA) ,  TIBERIO Richard (Stanford Univ., CA, USA) ,  CONWAY James (Stanford Univ., CA, USA) ,  DAI Huixiong (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  CHEN Yongmei (Applied Materials, Inc., CA, USA) ,  MITRA Subhasish (Stanford Univ., CA, USA) ,  WONG H.-S. Philip (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 23  ページ： 3107-3114  発行年： 2012年06月19日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ素基板上にフォトリソグラフィーにより小孔トポグラフィカルテンプレートを形成し,ポリスチレン-b-PMMAブロック共重合体のスピンコート膜を形成した。紫外線照射,酢酸処理により円筒状のPMMA部分を除去して細孔を形成した。走査電子顕微鏡により細孔径分布を求めた。テンプレートのサイズおよび形状,スピンコーティングの回転速度(膜厚)を変えた一連の実験により細孔パターンを2,3,4の間で選定できることを確かめた。66nmテンプレートにより25nm細孔が形成できた。22nmランダム論理素子用の接続孔として15nm径,重ね合わせ精度1nmを実証した。

シソーラス用語： *鋳型反応 ,  *集積回路 ,  部分 ,  *穴あけ ,  構成 ,  リソグラフィー ,  *ブロック共重合体 ,  自己組織化 ,  ポリスチレン ,  ポリメタクリル酸メチル ,  スピンコーティング ,  細孔 ,  パターン形成 ,  走査電子顕微鏡 ,  細孔径分布 ,  膜厚 ,  サイズ効果 ,  形状効果 ,  重合せ ,  精度 ,  脂肪酸 ,  薬物
準シソーラス用語： PMMA ,  *テンプレート【鋳型反応】 ,  穴加工 ,  孔形成 ,  接続部

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： 酢酸

タイトルに関連する用語 (7件)： ブロック共重合体 ,  誘導 ,  自己組織化 ,  集積回路 ,  孔パターン ,  リソグラフィー ,  対策