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J-GLOBAL ID：201202201293776094   整理番号：12A0527501

0.5Vで78μA/μmのオン電流を有するAlGaSb/InAsトンネル電場効果トランジスタ

AlGaSb/InAs Tunnel Field-Effect Transistor With On-Current of 78μA/μm at 0.5V

著者 (13件)： LI Rui (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  LU Yeqing (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  ZHOU Guangle (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  LIU Qingmin (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  CHAE Soo Doo (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  VASEN Tim (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  HWANG Wan Sik (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  ZHANG Qin (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  FAY Patrick (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  KOSEL Tom (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  WISTEY Mark (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  XING Huili (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  SEABAUGH Alan (Univ. Notre Dame, IN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 3  ページ： 363-365  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オン電流と電圧を比例して低下させる化合物半導体TFETはMOSFETのような速度を達成できる。そのために,ヘテロ接合TFET構造などが研究されている。本稿では,インラインAlGaSb/InAs TFETを検討した。MBE成長でヘテロ接合デバイス層を形成し,リソグラフィーとリフトオフ金属配線技術などを用いて,ゲート電場に沿ってトンネリングするAlGaSb/InAs TFETを作製した。伝送線路モデル構造を用いてソースドレイン抵抗を測定した。Synopsysのシミュレーションを用いて本TFETの電流電圧特性の特性値と比較した。この結果により,本TFETは寄生抵抗が小さく,MOSFETのようなスイッチング速度を有することを示した。0.5Vのオン電流は78μA/μmであった。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  トンネル効果 ,  化合物半導体 ,  MOSFET ,  ヘテロ接合 ,  MBE成長 ,  リソグラフィー ,  シミュレーション ,  伝送線路 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *GaSb ,  *InAs ,  TFET ,  リフトオフ ,  寄生抵抗 ,  電場効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： InAs ,  トンネル ,  電場効果トランジスタ