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J-GLOBAL ID：201202201432191160   整理番号：12A1187621

パルスレーザ蒸着により育成したAlドープTbMnO₃薄膜の磁気特性

Magnetic properties of Al doped TbMnO₃ thin films grown by pulsed laser deposition

著者 (6件)： PEREZ-OSUNA F. (Centro de Investigacion Cientifica y de Educacion Superior de Ensenada, Ensenada, Baja California 22860, MEX) ,  SIQUEIROS J. M. (Centro de Investigacion Cientifica y de Educacion Superior de Ensenada, Ensenada, Baja California 22860, MEX) ,  DURAN A. (Centro de Investigacion Cientifica y de Educacion Superior de Ensenada, Ensenada, Baja California 22860, MEX) ,  CRUZ M. P. (Centro de Investigacion Cientifica y de Educacion Superior de Ensenada, Ensenada, Baja California 22860, MEX) ,  SALAMANCA-RIBA L. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742, USA) ,  HEIRAS J. (Centro de Investigacion Cientifica y de Educacion Superior de Ensenada, Ensenada, Baja California 22860, MEX)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 3  ページ： 033914-033914-5  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrTiO₃(001)基板上にパルスレーザ蒸着により育成したc配向Tb_1-xAl_xMnO₃(x=0,0.05,および0.10)薄膜の構造,組成,および磁気特性を評価した実験結果を報告する。膜厚は10,25,50,および100nmであった。X線回折の解析から,膜が(001)方向に優先配向した単相の膜であることを示した。x≦0.05の試料では,基板-膜のひずみが薄い膜の磁化を大きく増した。膜内へのAl導入は,TbMnO₃単結晶の温度T_lock(~27K)における磁気異常を明白にした。さらに,ドーパントは,全ての試料についてMn³⁺の整列による転移温度T_N1およびTb³⁺の整列によるT_N2の高温側へのシフトを引き起こした。この試料におけるAlの最も重要な効果は,TbMnO₃薄膜の強磁性的挙動を増大してこの物質の磁気的性能を改善し,強磁性秩序をもつマルチフェロイック性の可能性をもたらしたことである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *テルビウム化合物 ,  *マンガン化合物 ,  *酸化物 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  蒸着膜 ,  *磁気的性質 ,  *レーザ蒸着 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  結晶構造 ,  膜厚 ,  X線回折 ,  歪 ,  磁化 ,  転移温度 ,  強磁性 ,  強誘電体 ,  磁気異常 ,  走査電子顕微鏡 ,  温度依存性 ,  磁気ヒステリシス ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： マルチフェロイック ,  磁気転移温度

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ蒸着 ,  Al ,  ドープ ,  薄膜 ,  磁気特性