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J-GLOBAL ID：201202201441224896   整理番号：12A0645720

垂直入射Si^-イオン注入によるGe(100)表面上のピット形成

Pit formation on the Ge (100) surfaces by normal incident Si^- ion implantation

著者 (4件)： MOLLICK S.a. (Saha Inst. of Nuclear Physics, Sector-1, Block-AF, Bidhan Nagar, Kolkata 700 064, IND) ,  KARMAKAR S. (Saha Inst. of Nuclear Physics, Sector-1, Block-AF, Bidhan Nagar, Kolkata 700 064, IND) ,  METYA A. (Saha Inst. of Nuclear Physics, Sector-1, Block-AF, Bidhan Nagar, Kolkata 700 064, IND) ,  GHOSE D. (Saha Inst. of Nuclear Physics, Sector-1, Block-AF, Bidhan Nagar, Kolkata 700 064, IND)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 9  ページ： 4129-4134  発行年： 2012年02月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1×10¹⁸~7×10¹⁸のフルエンス範囲における,垂直入射26keV Si^-イオンの衝撃によるGe表面上のミクロンサイズピット形成を観測した。走査電子顕微鏡及び原子間力顕微鏡により,表面形態の展開を追及した。ピットは,各種形状をしていた。二場連続モデルは,イオン衝撃の始まりにおけるピット形成及び成長を記述できた。ピットの成長を,一次イオンビーム及び二次粒子フラックスによる勾配依存侵食機構により説明できた。ピットの底部におけるSiの欠乏を,GeにおけるSiの低拡散率により説明した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  単結晶 ,  *イオン注入 ,  *ケイ素 ,  イオン衝突 ,  *表面構造 ,  イオンビーム ,  *イオンエッチング ,  エッチピット ,  表面拡散
準シソーラス用語： 走査電子顕微鏡法 ,  原子間力顕微鏡法 ,  表面形態

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直入射 ,  イオン注入 ,  Ge ,  ピット