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J-GLOBAL ID：201202201575821122   整理番号：12A1390612

BiCMOSベース負性差動抵抗回路を用いた多重入力論理回路設計

Multiple-input logic circuit design using BiCMOS-based negative differential resistance circuits

著者 (3件)： GAN Kwang-Jow (National Chiayi Univ., Dep. of Electrical Engineering, No. 300 Syuefu Rd., 60004, Chiayi City, Taiwan, TWN) ,  TSAI Cher-Shiung (Kun Shan Univ., Dep. of Electronic Engineering, 949 Da-Wan Rd., 710, Yung-Kang City, Tainan Hsien, Taiwan, TWN) ,  LIU Shih-Hao (Kun Shan Univ., Dep. of Electronic Engineering, 949 Da-Wan Rd., 710, Yung-Kang City, Tainan Hsien, Taiwan, TWN)
資料名： Analog Integrated Circuits and Signal Processing  (Analog Integrated Circuits and Signal Processing)
巻： 73  号： 1  ページ： 409-414  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W0439A  ISSN： 0925-1030  CODEN： AICPEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標準Siベースnチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(NMOS)とSiGeベースヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)から構成される負性差動抵抗(NDR)回路を用いたインバータ回路設計を初めて提案した。MOS幅/長さパラメータを適当に設計することにより,Λ型NDR電流電圧(I-V)特性を得ることができた。インバータ回路動作を拡張して,2入力および4入力NOR論理ゲートを実証した。特に,論理回路の設計と作製は標準SiGe BiCMOSプロセスに基づいている。共鳴トンネルダイオード(RTD)のような従来のNDRデバイスと比較して,筆者らのMOS-HBT-NDRベースアプリケーションは,同じチップ上にSiベースまたはSiGeベースデバイスと組み合わせることがずっと容易である。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *BiCMOS ,  *負性抵抗 ,  *抵抗回路 ,  *回路設計 ,  電流電圧特性 ,  ケイ素 ,  N型半導体 ,  *MOSFET ,  NOT回路 ,  NOR回路 ,  半導体材料 ,  *HBT【トランジスタ】 ,  共鳴トンネルダイオード ,  論理設計 ,  NAND回路 ,  SPICEプログラム ,  回路シミュレーション
準シソーラス用語： nMOSFET ,  負性差動抵抗 ,  SiGe ,  HSPICE

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： BiCMOS ,  差動 ,  抵抗回路 ,  多重 ,  論理回路 ,  設計