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J-GLOBAL ID：201202201604243648   整理番号：12A1520812

酸化亜鉛ナノ粒子を含む新しい酸化亜鉛インキ

Novel Zinc Oxide Inks with Zinc Oxide Nanoparticles for Low-Temperature, Solution-Processed Thin-Film Transistors

著者 (8件)： CHO Song Yun (Korea Res. Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  KANG Young Hun (Korea Res. Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  JUNG Jun-Young (Korea univ., Seoul, KOR) ,  NAM So Youn (Korea Res. Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  LIM Jongsun (Korea Res. Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  YOON Sung Cheol (Korea Res. Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR) ,  CHOI Dong Hoon (Korea univ., Seoul, KOR) ,  LEE Changjin (Korea Res. Inst. of Chemical Technol., Daejeon, KOR)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 24  号： 18  ページ： 3517-3524  発行年： 2012年09月25日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO薄膜トランジスター(TFTs)の特性に対するZnOナノ粒子の添加とZnO前駆体中の共溶媒(エタノール)の影響について研究した。ZnO前駆体への添加はZnO薄膜の構造的,化学的および電気的特性に大きな影響を及ぼし,ZnOナノ粒子を含むZnOインキがTFTのチャンネル層として使用できることを見出した。このインキを使用して250°Cの低温処理で作製したZnO TFTは著しく改善された1.75cm²V^-1s^-1の電界効果移動度と5.89×10⁸のオン/オフ比を示した。ZnO薄膜中の空隙をZnOナノ粒子が充填することによって,緻密で平滑な表面形態と結晶性が得られ,その結果自由電子の移動のための円滑な経路が生成し,さらにZnOナノ構造中の酸素空孔が増加すると推定した。ここで提案したZnOインキはフレキシブルなプリンテッドエレクトロニクスへの応用が期待される。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノ粒子 ,  *インク ,  *薄膜トランジスタ ,  溶媒 ,  キャリア移動度 ,  自由粒子 ,  電子 ,  溶媒効果 ,  マイクロエレクトロニクス ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： プリンタブルエレクトロニクス ,  共溶媒 ,  自由電子 ,  電界効果移動度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化亜鉛ナノ粒子 ,  酸化亜鉛 ,  インキ