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J-GLOBAL ID：201202201615247823   整理番号：12A1763817

屈折率結合表面多孔質格子分布帰還量子カスケードレーザ

Index-coupled surface porous grating distributed feedback quantum cascade laser

著者 (8件)： ZHANG J. C. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  LIU F. Q. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  ZHAO L. H. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  WANG L. J. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  YAO D. Y. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  ZHAI S. Q. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  LIU J. Q. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  WANG Z. G. (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 10  ページ： 103102-103102-4  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホログラフィックリソグラフィーと電気化学エッチング技術を組み合わせて利用することによる,特別に低い損失,屈折率結合表面多孔質格子分布帰還プロファイルの設計を報告した。λ~7.6μmで発光する単一モード量子カスケードレーザの室温連続波(cw)作動に成功した。表面プラズモン波と導波路波間の干渉の減衰のためにレーザの導波路損失は通常の表面金属/半導体格子デバイスと比べてかなり減少した。これによってしきい値電流密度の減少,cw出力パワーの増加のようなレーザの全体的な性能が改善した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,  *分布帰還形レーザ ,  フォトリソグラフィー ,  設計 ,  *エッチング ,  多孔性 ,  格子 ,  電流密度 ,  レーザ出力 ,  屈折率 ,  *量子カスケードレーザ
準シソーラス用語： ホログラフィックリソグラフィー ,  電気化学エッチング

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 屈折率 ,  多孔質 ,  格子 ,  分布 ,  帰還 ,  量子カスケードレーザ