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J-GLOBAL ID：201202201627242754   整理番号：12A1767553

パラジウム触媒による無欠陥<110>せん亜鉛鉱型InAsナノワイヤ

Defect-Free <110> Zinc-Blende Structured InAs Nanowires Catalyzed by Palladium

著者 (8件)： XU Hongyi (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  WANG Yong (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  GUO Yanan (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  LIAO Zhiming (Univ. Queensland, QLD, AUS) ,  GAO Qiang (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  TAN H. Hoe (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  JAGADISH Chennupati (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  ZOU Jin (Univ. Queensland, QLD, AUS)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 11  ページ： 5744-5749  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(111)基板上にパラジウム薄膜を蒸着し,トリメチルインジウムおよびアルシンを前駆体として化学蒸着によりヒ化インジウムナノワイヤを成長させた。走査電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡,制限視野回折,エネルギー分散X線分光分析によりキャラクタリゼーションを行った。四個の{111}側面および{-1-1-3}触媒/結晶端面をもつ無欠陥の<110>せん亜鉛鉱型構造を確かめた。In-As二成分系状態図および成長端面の観察から,成長面が<111>でなく,結晶/触媒界面が{111}を含まないことが無欠陥成長の原因と結論した。

シソーラス用語： 閃亜鉛鉱型結晶 ,  *ナノワイヤ ,  *結晶成長 ,  MOCVD ,  パラジウム触媒 ,  格子欠陥 ,  結晶面 ,  界面 ,  アルシン ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  制限視野回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 固固界面

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

物質索引 (1件)： トリメチルインジウム

タイトルに関連する用語 (5件)： パラジウム触媒 ,  欠陥 ,  せん亜鉛鉱 ,  InAs ,  ナノワイヤ