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J-GLOBAL ID：201202201750121821   整理番号：12A1514783

Schottky障壁ニッケルゲルマニウム化物ソース/ドレインと低温ジシラン不活性化ゲートスタックを用いた高性能ゲルマニウムΩゲートMuGFET

High-Performance Germanium Ω-Gate MuGFET With Schottky-Barrier Nickel Germanide Source/Drain and Low-Temperature Disilane-Passivated Gate Stack

著者 (12件)： LIU Bin (Nationai Univ. Singapore, Singapore) ,  GONG Xiao (Nationai Univ. Singapore, Singapore) ,  HAN Genquan (Nationai Univ. Singapore, Singapore) ,  LIM Phyllis Shi Ya (Nationai Univ. Singapore, Singapore) ,  TONG Yi (Nationai Univ. Singapore, Singapore) ,  ZHOU Qian (Nationai Univ. Singapore, Singapore) ,  YANG Yue (Nationai Univ. Singapore, Singapore) ,  DAVAL Nicolas (Soitec, Bernin, FRA) ,  VEYTIZOU Christelle (Soitec, Bernin, FRA) ,  DELPRAT Daniel (Soitec, Bernin, FRA) ,  NGUYEN Bich-Yen (Soitec, Bernin, FRA) ,  YEO Yee-Chia (Nationai Univ. Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 10  ページ： 1336-1338  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 性能の良いGeチャネルΩゲートMuGFETの作製を報告した。絶縁体上のGe基板とサブ400°Cプロセスモジュールを使用した。その特徴は,低温ジシラン表面不活性化を用いた高品質ゲートスタック,および自己整合Schottky障壁NiGeソースドレインの初の適用である。その結果,Ge MuGFETとしては記録的な高I_ONを得た。また,高いピーク飽和相互コンダクタンス,高いオンオフ電流比を得た。さらに,Geフィンのドーピング濃度が性能におよぼす効果についても検討した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ゲルマニウム ,  短チャネル効果 ,  不活性化 ,  ソース【半導体】 ,  ニッケル化合物 ,  ドーピング ,  相互コンダクタンス ,  電流
準シソーラス用語： *MuGFET ,  ゲートスタック ,  ドレイン電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (12件)： Schottky障壁 ,  ニッケル ,  ゲルマニウム ,  ソース ,  ドレイン ,  低温 ,  ジシラン ,  不活性化 ,  ゲートスタック ,  高性能 ,  ゲート ,  MuGFET