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J-GLOBAL ID：201202201799237639   整理番号：12A0337200

集積回路の表面下顕微鏡法での誘電体界面効果

Dielectric interface effects in subsurface microscopy of integrated circuits

著者 (3件)： HAKAN KOEKLUE F. ,  GOLDBERG Bennett B. ,  SELIM UENLUE M.
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 285  号： 7  ページ： 1675-1679  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無収差モードにおいて,直線偏光照射を高開口数で集束した場合,誘電体界面で影響を受けたデフォーカスと画質を研究した。シリコン集積回路の表面下背面顕微鏡法においてこれを実験的に実証した。固体浸漬レンズ顕微鏡法での高い縦倍率を利用して,大きな非点収差を観測できることを明確化した。二つの方向で解像度を最大にするには,対物レンズをサンプルに対して50ミクロンほど縦変位させることが必要であることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *集積回路 ,  *光学顕微鏡法 ,  表面性状 ,  誘電体 ,  界面 ,  ケイ素 ,  非点収差 ,  直線偏光 ,  光照射 ,  レンズ ,  焦点合せ ,  結像 ,  対物レンズ
準シソーラス用語： デフォーカス ,  固体浸漬レンズ

分類 (2件)： 光学的測定とその装置一般  (BD07010S) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集積回路 ,  顕微鏡法 ,  誘電体 ,  界面