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J-GLOBAL ID：201202201857612429   整理番号：12A0809572

異なるアルゴンガス流量下のスパッタリング窒化チタン膜の構造/形態/電気特性の研究

Study on structural, morphological and electrical properties of sputtered titanium nitride films under different argon gas flow

著者 (6件)： ARSHI Nishat (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Changwon National Univ., Changwon, Gyeongnam 641-773, KOR) ,  LU Junqing (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Changwon National Univ., Changwon, Gyeongnam 641-773, KOR) ,  JOO Yun Kon (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Changwon National Univ., Changwon, Gyeongnam 641-773, KOR) ,  LEE Chan Gyu (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Changwon National Univ., Changwon, Gyeongnam 641-773, KOR) ,  YOON Jae Hong (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Changwon National Univ., Changwon, Gyeongnam 641-773, KOR) ,  AHMED Faheem (School of Nano and Advanced Materials Engineering, Changwon National Univ., Changwon, Gyeongnam 641-773, KOR)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 134  号： 2-3  ページ： 839-844  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,DCマグネトロンスパッタリングを利用したシリコン(100)基板上への窒化チタン(TiN)膜蒸着を報告した。各X線回折(XRD)と電界放出型走査電子顕微鏡(FESEM)を利用し,構造と形態特性に及ぼすアルゴン流速(5,10,15,29sccm(標準cm³/min))の影響を研究した。XRDパターンで,アルゴンガス流量増加に伴う粒子サイズ増加のある膜のFCC対称を明らかにした。より低い流量(5sccm)下で蒸着した膜でTiNのピークは存在しないが,アルゴン流量増加(10と15sccm)と共に,混合{(111)-(200)}配向が現われた。この混合{(111)-(200)}配向は,20sccmまでの更なるアルゴン流量増加で(111)配向に転移した。FESEM顕微鏡写真では,柱状粒子構造を持つ膜の滑らかな形態を示した。電気抵抗率測定では,(111)優先配向をとるTiN膜のより高い抵抗率値(30μΩ・cm)と混合(111)-(200)}配向をとる膜のより低い抵抗率値(18μΩ・cm)を示した。抵抗率のより低い値は,混合(111)-(200)}配向の化学量論TiN生成に起因した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  ウエハ【IC】 ,  *蒸着膜 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  *構造特性 ,  *結晶形態 ,  *電気特性 ,  *流速 ,  *アルゴン ,  *速度依存性 ,  粒度 ,  結晶構造 ,  対称性 ,  結晶方位 ,  相転移 ,  顕微鏡写真 ,  電気抵抗率 ,  優先配向 ,  化学量論
準シソーラス用語： *窒化チタン ,  *DCマグネトロンスパッタリング ,  シリコン基板 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  粒子サイズ ,  FCC構造

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (8件)： アルゴン ,  ガス流量 ,  スパッタリング ,  窒化 ,  チタン膜 ,  形態 ,  電気特性 ,  研究