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J-GLOBAL ID:201202201875746483   整理番号:12A0759400

遷移金属錯体を含有する重合体の光学的および電子的応用に於ける新しい動向

New Trends in the Optical and Electronic Applications of Polymers Containing Transition-Metal Complexes
著者 (5件):
資料名:
巻: 33  号: 6/7  ページ: 461-480  発行年: 2012年04月13日 
JST資料番号: D0314B  ISSN: 1022-1336  CODEN: MRCOE3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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最も優れたオプトエレクトロニクス材料の1つである遷移金属錯体を含有する重合体が,近年に至って益々研究的興味を引き付けてきた。それらは,重合体と金属錯体の両方の優位性を結合して優れたオプトエレクトロニクス特性を示していた。遷移金属錯体を含有する重合体の,化学/バイオセンサ,電子メモリ素子と光起電素子等の光学的および電子的応用に於ける新しい研究動向をまとめた。1)はじめに,2)オプトエレクトロニクス機能を有する遷移金属錯体を含有する新規重合体(PTMC)の設計戦略(構造,合成,化学/バイオセンサへのPTMCの応用,金属カチオン用の化学センサ,酸素用の化学センサ,蛋白質用のバイオセンサ,pH用の化学センサ),3)電子メモリ素子へのPTMCの応用(Eu(III)錯体を含有する重合体,Ir(III)錯体を含有する重合体,Co(III)錯体を含有する重合体,Fe(II)錯体を含有する重合体),4)高分子光起電素子へのPTMCの応用(光起電素子用にPtアセチリドベースの共役高分子,光起電素子用にRe(I)錯体含有共役高分子,光起電素子用にRu(II)含有共役高分子,光起電素子用にIr(III)含有共役高分子,光起電素子用にZn(II)含有共役高分子),5)結論。
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分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の高分子の反応  ,  遷移金属錯体一般  ,  記憶装置  ,  光伝導,光起電力  ,  分析機器 

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