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J-GLOBAL ID：201202201919460574   整理番号：12A1187573

再構成(0001)InGaN表面の調製と原子構造

Preparation and atomic structure of reconstructed (0001) InGaN surfaces

著者 (6件)： FRIEDRICH C. (Inst. fuer Festkoerperphysik EW6-1, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, DEU) ,  BIERMANN A. (Inst. fuer Festkoerperphysik EW6-1, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, DEU) ,  HOFFMANN V. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, DEU) ,  KNEISSL M. (Inst. fuer Festkoerperphysik EW6-1, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, DEU) ,  ESSER N. (Inst. fuer Festkoerperphysik EW6-1, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, DEU) ,  VOGT P. (Inst. fuer Festkoerperphysik EW6-1, Technische Universitaet Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 3  ページ： 033509-033509-5  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDで成長させた高品質III族極性(0001)InGaN層の調製と原子構造を調べた。清浄で規則度の高い表面を得るために,超高真空と窒素プラズマ中の窒素リッチ状態下での種々の温度の焼なましによる調整を調べた。(1×1),(1+1/6),(2×2)および(3×3)R30°のような種々のInGaN表面の再構成を低速電子回折で観測した。焼なまし温度と窒素の供給に依存して,これらの表面はAuger電子顕微鏡と原子間力顕微鏡で見ると化学組成と形態においてかなりの違いを呈した。(1×1),(2×2)および(3×3)R30°超構造は単一のIII族アドアトムで成端するのに対して,(1+1/6)はIII族アドアトムの不整合上層を見せた。(2×2)および(3×3)R30°では第一III族層中のInの空乏とその上の位置のInまたはGaアドアトムを示した。この構造の形成を説明するには歪緩和を想定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *極性 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *原子構造 ,  *表面再構成 ,  超高真空 ,  プラズマ ,  窒素 ,  *焼なまし ,  低速電子回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  化学組成 ,  原子 ,  第13族元素 ,  緩和現象 ,  成端
準シソーラス用語： アドアトム ,  走査Auger電子顕微鏡 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  超構造 ,  歪緩和

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 再構成 ,  InGaN ,  調製 ,  原子構造