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J-GLOBAL ID：201202201986478313   整理番号：12A0528741

高成長率が蒸着Cu(In,Ga)Se₂層と太陽電池に及ぼす影響

Influence of high growth rates on evaporated Cu(In,Ga)Se₂ layers and solar cells

著者 (8件)： CHIRILA Adrian (Swiss Federal Lab. for Material Sci. and Technol. (Empa), Duebendorf, CHE) ,  SEYRLING Sieghard (Swiss Federal Lab. for Material Sci. and Technol. (Empa), Duebendorf, CHE) ,  BUECHELER Stephan (Swiss Federal Lab. for Material Sci. and Technol. (Empa), Duebendorf, CHE) ,  GUETTLER Dominik (Swiss Federal Lab. for Material Sci. and Technol. (Empa), Duebendorf, CHE) ,  NISHIWAKI Shiro (Swiss Federal Lab. for Material Sci. and Technol. (Empa), Duebendorf, CHE) ,  ROMANYUK Yaroslav E. (Swiss Federal Lab. for Material Sci. and Technol. (Empa), Duebendorf, CHE) ,  BILGER Gerhard (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  TIWARI Ayodhya N. (Swiss Federal Lab. for Material Sci. and Technol. (Empa), Duebendorf, CHE)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 20  号： 2  ページ： 209-216  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 修正3段階多元蒸着法による多結晶CIGS膜の作成における,第2段階と第3段階での高い成長率の影響を低い基板温度で検討している。第2段階での成長率は,膜の構造と組成にまったくあるいはほとんど影響を及ぼさないことが判明したが,第3段階における高い成長率は,膜の構造と組成に強い影響を与えることを見出した。実験では第1段階から第3段階までの成長率が35nm/minのケースを基本ケースとして,第2段階の成長率を500nm/minの高成長率に変更したケースと第3段階の成長率を600nm/minの高成長率に変更したケースで膜の構造と組成およびパラメータ(V_oc,J_sc,FF,η)を調べている。なお,太陽電池のパラメータ測定では,第2段階と第3段階の成長率を140nm/minにしたケースも調べている。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  薄膜 ,  堆積速度 ,  *蒸着膜 ,  *エネルギー効率 ,  測定データ ,  変化 ,  構成 ,  *成長率
準シソーラス用語： *CIGS太陽電池 ,  フィルム太陽電池 ,  構造変化 ,  蒸着スピード ,  *蒸着速度 ,  薄膜形成

分類 (4件)： 太陽エネルギー  (LB03030Q) ,  太陽光発電  (NB03090G) ,  太陽エネルギー利用機器  (QE05020H) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 成長率 ,  蒸着 ,  Cu ,  Ga ,  太陽電池