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J-GLOBAL ID:201202202001506691   整理番号:12A0722802

高パワーのインパルスマグネトロンスパッタリングによって堆積させた薄膜の特性に対する電離度の効果

Influence of ionization degree on film properties when using high power impulse magnetron sputtering
著者 (7件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 031507-031507-5  発行年: 2012年05月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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工業用蒸着システム内のシングルカソード上に,直流マグネトロンスパッタリングと高パワーのインパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)を組み合わせて,クロムの薄膜を堆積させた。一定の堆積速度と一定の金属イオンエネルギー分布関数を維持しながら,双方のスパッタリング技術によって与えられる全パワーおよび中性金属に対する金属イオンの比も変化させた。一定の堆積速度を保持するためには,HiPIMSの割合の増大に伴って,全平均パワーも比例して増大せる必要があることが分かった。薄膜の微小構造,電気的および電気化学的特性に対するHiPIMSの影響を研究した結果,これらの特性はHiPIMSの使用によって改善されることが分かった。しかし,全パワーの40%がHiPIMS法によって加えられた段階で,研究した特性は既に可成りの影響を受けることが分かった。HiPIMSのパワーを更に増大しても,特性は大きな変化をしないが,堆積速度の効率は可成り低下することが分かった。得られた結果から,電離度は別々のスパッタリングで独立に制御が可能で,しかもHiPIMSを導入した特長が得られると同時にしばしば報告されている堆積速度の低下の大部分も避けられる。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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金属薄膜 

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