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J-GLOBAL ID：201202202192846497   整理番号：12A0215216

アモルファスGe_xSe_35-xTe₆₅薄膜の電気的スイッチングと光学的研究

Electrical switching and optical studies on amorphous Ge_xSe_35-xTe₆₅ thin films

著者 (4件)： DAS Chandasree ,  MAHESHA M.g. ,  RAO G. Mohan ,  ASOKAN S.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 6  ページ： 2278-2282  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファスGe_xSe_35-xTe₆₅薄膜試料の電気的スイッチング特性を,サンドイッチ構造電極を用いて調べた。これらの試料は,バルクのGe-Se-Teガラスと同様なメモリスイッチング挙動を示すことがわかった。予想されたように,Ge_xSe_35-xTe₆₅薄膜試料のスイッチング電圧は,バルク試料に対するものよりも低くなった。薄膜アモルファスおよびバルクガラス試料の両試料において,Ge濃度の増大とともにスイッチング電圧は増大することを見いだした。このことは,より高い配位数のGe原子を添加することによって,ネットワークの接続性が増大することと一致する。x=21以上でアモルファスGe_xSe_35-xTe₆₅薄膜のスイッチング場の組成依存性は鋭く増大した。このことは,弾性転移と関連する可能性がある。さらに,吸収スペクトルから求めたアモルファスGe_xSe_35-xTe₆₅薄膜試料の光学バンドギャップは,Ge濃度の増大とともに増大する傾向があることを見いだした。このことは,組成によってスイッチング場が変化することと矛盾しない。4回配位Ge原子を追加していくと構造的な架橋が増加することが,観測されたスイッチング場だけでなくGe_xSe_35-xTe₆₅試料のバンドギャップが増大した原因である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  半導体薄膜 ,  光学ギャップ ,  テルル化合物 ,  セレン化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *スイッチング
準シソーラス用語： *アモルファス半導体 ,  光学バンドギャップ ,  *抵抗スイッチング

分類 (1件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G)

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス ,  薄膜 ,  スイッチング ,  光学 ,  研究