文献

J-GLOBAL ID：201202202370800315   整理番号：12A1311284

パルス電子ビーム蒸着法によって成長したCuGaSe₂薄膜の構造,形態学的および光学的特性に及ぼす基板温度の役割

Role of substrate temperature on the structural, morphological and optical properties of CuGaSe₂ thin films grown by Pulsed Electron Deposition technique

著者 (4件)： BRONZONI Matteo (IMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, 43124 Parma, ITA) ,  STEFANCICH Marco (IMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, 43124 Parma, ITA) ,  STEFANCICH Marco (LENS Lab., Masdar Inst. of Sci. and Technol., Masdar City, PO Box 54224, Abu Dhabi, United Arab Emirates) ,  RAMPINO Stefano (IMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, 43124 Parma, ITA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 24  ページ： 7054-7061  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuGaSe₂(CGS)薄膜は温度25°Cと475°Cの範囲に調整された基板温度でパルス電子ビーム蒸着(PED)技術によりMOコートの有無のソーダ石灰ガラス上に成長させた。X線回折解析によりCGS試料はT_s=100°Cという低成長温度でも際立った結晶品質を示し,そこでは基板温度が上昇するにつれCGSカルコパイライト相の面外配向方位が<220>から<112>配向へとスイッチする。熱処理では膜の結晶性を向上させ,残留歪エネルギーを解放するように見える。 可視/近赤外吸収スペクトルは,基板温度を高めることにより,CGS光学バンドギャップの単調減少(1.75から1.65eVに)を示す。それでもCGS膜の形態は依然として成長面に垂直なより大きな柱状結晶粒の形成を促進する効果のあるTgに依存している。CGS膜の粒子寸法~2μmは高温(> 400°C)でMoコーティングされたガラスの上に成長させたとき達成される。これらの結果,PEDは薄膜太陽電池の光吸収層として有用である良質のCGSを達成するための有望な成長技術であることを示している。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電子ビーム ,  *電子ビーム蒸着 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *セレン化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *基板温度 ,  基板 ,  ソーダ石灰ガラス ,  X線回折 ,  *結晶方位 ,  *熱処理 ,  結晶度 ,  残留歪 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： パルス電子ビーム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： パルス ,  電子ビーム蒸着 ,  成長 ,  薄膜 ,  形態学 ,  光学的特性 ,  基板温度 ,  役割