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J-GLOBAL ID：201202202490440525   整理番号：12A0593620

化学浴析出におけるCdS薄膜の成長反応動力学に及ぼす流動力学影響

Effect of flow dynamics on the growth kinetics of CdS thin films in chemical bath deposition

著者 (2件)： ERKAN Mehmet Eray (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas, Arlington, TX 76019, USA) ,  JIN Michael H.-C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Texas, Arlington, TX 76019, USA)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 133  号： 2-3  ページ： 779-783  発行年： 2012年04月16日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdS薄膜の化学浴析出時,溶液は典型的には撹拌され,不必要な濃度勾配を妨げ,膜表面へ固着しながら沈殿する。撹拌速度は,基板上の層流境界層厚さを変え,基板への反応物の拡散長へ影響する。また,撹拌速度で層流と乱流間の浴流体条件を変えられる。興味深いことに,文献で報告されたCdS薄膜の析出反応動力学に及ぼす撹拌速度の影響は矛盾する。本研究では,基板が層流下で析出温度が45~63°Cの時に,拡散律速反応動力学が境界層厚の関数としてサンプルに沿う膜厚減少プロファイルを生成することを示した。他方で,基板が乱流下で析出温度が45~63°Cの時に,析出は供給律速になった。流体力学条件が析出速度を顕著に変え,全てのCd析出膜は立方晶構造を示す一方,光バンドギャップは単結晶立方晶のものより著しく小さかった。Raman分光法で調べた膜の引張応力が小さなバンドギャップを説明できる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  *析出 ,  *薄膜成長 ,  *反応速度論 ,  *流体力学 ,  撹拌速度 ,  層流境界層 ,  層厚 ,  層流 ,  依存性 ,  拡散律速 ,  乱流 ,  温度 ,  立方晶系 ,  フォトニックバンドギャップ ,  Raman分光法 ,  引張応力
準シソーラス用語： *化学浴析出法 ,  *反応動力学 ,  厚さ依存性 ,  光バンドギャップ

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  層流,乱流,境界層  (BC02030C) ,  反応速度論・触媒一般  (CB06010G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学浴析出 ,  CdS ,  薄膜 ,  成長 ,  反応動力学 ,  流動 ,  力学