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J-GLOBAL ID：201202202626181588   整理番号：12A0216889

温度勾配プロファイルを用いてアルミニウムによって誘発された結晶化による大きな結晶多結晶質Si調製の機構

Mechanism of large grain polycrystalline Si preparation by aluminum induced crystallization with temperature gradient profile

著者 (7件)： Tang Zhengxia (Coll. of Materials Sci. and Technol., Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Nanjing) ,  Shen Honglie (Coll. of Materials Sci. and Technol., Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Nanjing) ,  Jiang Feng (Coll. of Materials Sci. and Technol., Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Nanjing) ,  Fang Ru (Coll. of Materials Sci. and Technol., Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Nanjing) ,  Lu Linfeng (Coll. of Materials Sci. and Technol., Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Nanjing) ,  Huang Haibin (Coll. of Materials Sci. and Technol., Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Nanjing) ,  Cai Hong (Coll. of Materials Sci. and Technol., Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Nanjing)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 59  号： 12  ページ： 8770-8775  発行年： 2010年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： アルミニウムによって誘発された結晶化によって調製される大きな結晶多結晶質Si薄膜のための加工時間を短くするために,a-Si/SiO2/Alのスタックを高周波マグネトロンスパッタリングによって蒸着して,2つの異なる不規則な温度プロファイルでアニールした。アルミニウムによって誘発された結晶化によって調製されるアモルファスシリコンの処理に及ぼす不規則な温度プロファイルの影響について調査して,このアニーリング温度が上昇するとき,新規核形成が現れるかどうかにかかわらず,その下でこの条件について論じた。この核形成の構造が低温での結晶ラジウム,空乏領域の距離および隣接した結晶の距離の間の関係性によって支配されることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *仕様 ,  *アルミニウム ,  多結晶 ,  温度勾配 ,  アモルファスシリコン ,  温度 ,  温度分布
準シソーラス用語： *プロファイル【カラーマネジメント】 ,  多結晶質 ,  アニーリング温度 ,  温度プロフィル

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (9件)： 温度勾配 ,  プロファイル ,  アルミニウム ,  誘発 ,  結晶化 ,  結晶 ,  多結晶質 ,  Si ,  調製