文献

J-GLOBAL ID：201202202631288676   整理番号：12A0871112

4H-SiC Schottkyフォトダイオードの容量に及ぼす温度と光誘起の影響

Temperature and Light Induced Effects on the Capacitance of 4H-SiC Schottky Photodiodes

著者 (5件)： MAZZILLO Massimo (STMicroelectronics, Catania, ITA) ,  SCIUTO Antonella (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  CATANIA Giuseppe (STMicroelectronics, Catania, ITA) ,  ROCCAFORTE Fabrizio (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  RAINERI Vito (IMM, CNR, Catania, ITA)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 12  号： 5-6  ページ： 1127-1130  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 容量は検知器のタイミング性能を決定する重要な役割を果たす。SiCの電気光学特性を研究する中で,このパラメータは,現在まで,十分に調べられなかった。ここでは,交差指4H-SiC Schottkyフォトダイオードの容量の種々の動作パラメータ依存性を報告する。すなわち,逆バイアス,温度,光照射,そして,照射波長依存性である。

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *Schottky障壁ダイオード ,  炭化ケイ素 ,  容量 ,  温度 ,  光照射 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  温度依存性 ,  感受性
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  光感受性

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  フォトダイオード ,  光誘起