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J-GLOBAL ID：201202202656592566   整理番号：12A0789513

1.3μm AlGaInAs MQW分布反射器レーザを用いた非冷却,低駆動電流25.8Gビット/s直接変調

Uncooled, low-driving-current 25.8Gbit/s direct modulation using 1.3μm AlGaInAs MQW distributed-reflector lasers

著者 (10件)： MATSUDA M. ,  MATSUDA M. (Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo, JPN) ,  SIMOYAMA T. ,  SIMOYAMA T. (Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo, JPN) ,  UETAKE A. ,  UETAKE A. (Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo, JPN) ,  OKUMURA S. (Fujitsu Lab. Ltd, Atsugi, JPN) ,  EKAWA M. ,  EKAWA M. (Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO T. (Fujitsu Lab. Ltd, Atsugi, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 8  ページ： 450-452  発行年： 2012年04月12日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,1.3μm AlGaInAs多重量子井戸(MQW)分布反射器(DR)レーザを用いて,85°Cまでの非冷却,低駆動電流25.8Gビット/s直接変調を実証した。ピーク駆動電流は25および85°Cで,それぞれ,30.0と38.9mAの低さである。43dB以上のサイドモード圧縮比で,しかも85°Cまでの安定なシングルモード発振が,変調のもとで達成された。これらの結果は,1.3μm AlGaInAs DRレーザが将来の低電力消費高速送信機用に有望であることを示している。

シソーラス用語： *赤外レーザ ,  半導体材料 ,  ヒ化物 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  *量子井戸レーザ ,  反射鏡 ,  *光変調
準シソーラス用語： MQWレーザ ,  レーザ反射鏡 ,  直接変調

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaInAs ,  MQW ,  分布 ,  反射器 ,  レーザ ,  駆動電流 ,  ビット ,  直接変調