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J-GLOBAL ID：201202202745486931   整理番号：12A0556567

マルチフェロイックRFe₂O₄(R=Y,Er,Tm,Yb,Lu,及びIn)の交換バイアス

Exchange Bias in Multiferroic RFe₂O₄ (R=Y, Er, Tm, Yb, Lu, and In)

著者 (10件)： YOSHII Kenji (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  IKEDA Naoshi (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  NISHIHATA Yasuo (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  MAEDA Daisuke (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  FUKUYAMA Ryota (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  NAGATA Tomoko (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  KANO Jun (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  KAMBE Takashi (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  HORIBE Yoichi (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Shigeo (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 81  号： 3  ページ： 033704.1-033704.4  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチフェロイックRFe₂O₄(R=Y,Er,Tm,Yb,Lu,及びIn)の交換バイアス(EB)挙動を観測した。小さいR³⁺イオン(R=Tm,Yb,Lu,及びIn)の物質は,~100-150Kより下で大きいEB場(≧1kOe)を見せる。この特性は,強磁性と反強磁性の磁区相互作用が競合して生じる磁気的なガラス状態に起源がある。また,EB場は小さいR³⁺イオンほどより高くなる傾向がある。そのため,EBはこのシリーズのRサイトの置換によって制御される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 材料 ,  磁気電気効果 ,  *鉄化合物 ,  イットリウム化合物 ,  エルビウム化合物 ,  ツリウム化合物 ,  イッテルビウム化合物 ,  ルテチウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  バイアス ,  置換型固溶体 ,  磁気ヒステリシス ,  磁化 ,  磁場
準シソーラス用語： *マルチフェロイック ,  *交換バイアス ,  *交換バイアス磁場

分類 (1件)： 磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (6件)： マルチフェロイック ,  Er ,  Tm ,  Yb ,  Lu ,  交換バイアス