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J-GLOBAL ID：201202202772819764   整理番号：12A1748712

バイアスストレス下の溶液せん断ナフタレンジイミドのn-チャネル有機トランジスタのアンビエント動作の改善

Improved ambient operation of n-channel organic transistors of solution-sheared naphthalene diimide under bias stress

著者 (5件)： STOLTE Matthias (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  GSAENGER Marcel (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  HOFMOCKEL Robert (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  SURARU Sabin-Lucian (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  WUERTHNER Frank (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 14  号： 41  ページ： 14181-14185  発行年： 2012年11月07日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素化側鎖を有するコア塩素化ナフタレンジイミドのn-チャネル有機薄膜トランジスタ(OTFT)は,二酸化ケイ素で被覆したシリコンウエハ上への溶液せん断により,性能が均質で最大0.95cm²/Vsの電子移動度の大きい素子アレイを製作できる。処理パラメータの最適化により,著しく異方性の大結晶分域の指向性成長が可能となり,ソース電極とドレイン電極間の連続パーコレーションが可能となる。バイアスストレス下では可逆性の有効電荷キャリア移動度が,最大4.26cm²/Vsまで増加した。結果の解明とより大きい素子への製法の最適化により,高性能のアンビエント安定なn-チャネルトランジスタを容易に製作できることが期待される。

シソーラス用語： バイアス ,  溶液 ,  剪断 ,  *酸イミド ,  *芳香族縮合化合物 ,  *薄膜トランジスタ ,  *MOSFET ,  フッ素化 ,  側鎖 ,  中心核 ,  塩素化 ,  二酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  キャリア移動度 ,  指向性 ,  パーコレーション ,  キャリア
準シソーラス用語： *nチャネル電界効果型トランジスタ ,  コア ,  シリコンウエハ ,  *ナフタレンジイミド類 ,  電荷キャリア ,  電子移動度 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (3件)： 芳香族単環アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  (CF05050D) ,  非金属化合物  (CD01070R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バイアス ,  ストレス ,  溶液 ,  せん断 ,  チャネル ,  有機トランジスタ