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J-GLOBAL ID：201202202901515084   整理番号：12A0479932

ゲート誘電体としての原子層堆積したHfAlOを有するGaSb金属-酸化物-半導体キャパシタ

GaSb Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Atomic-Layer-Deposited HfAlO as Gate Dielectric

著者 (6件)： WANG Chen (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  WANG Chen (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  XU Min (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  GU Jiangjiang (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  ZHANG David Wei (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YE Peide D. (Purdue Univ., Indiana, USA)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 15  号： 3  ページ： H51-H54  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ゲート誘電体としての原子層堆積(ALD) HfAlOを有する種々の高-k/GaSb系の界面および誘電特性を,容量-電圧(CV)測定によって系統的に調べた。Alが最初のALD過程によるHfAlOの場合は,Hfが最初のALD過程によるHfAlOの場合に比べて,高-k/GaSb MOS(金属酸化物半導体)において,破壊強度,蓄積領域での周波数分散およびゲート依存性の容量変調のような特性の改善が見出された。HfAlO/GaSbにおける界面トラップ密度分布および境界トラップ密度を定量的に測定し,それによってHfAlO/GaSb MOSキャパシタにおけるCV特性が正確に説明された。

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  *アルミン酸塩 ,  *アンチモン化ガリウム ,  誘電性 ,  容量電圧特性 ,  MOS構造 ,  破壊強さ ,  静電容量 ,  界面 ,  境界 ,  *薄膜コンデンサ ,  半導体素子 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *MOSキャパシタ ,  *アルミン酸ハフニウム ,  ゲート誘電体 ,  ゲート漏れ電流 ,  トラップ密度 ,  界面特性 ,  原子層堆積 ,  高誘電率 ,  周波数分散 ,  電場依存性

分類 (5件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート誘電体 ,  原子層堆積 ,  GaSb ,  酸化物 ,  キャパシタ